虽然LPDDR更高效
、英特连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块，但是技术也存在带宽不足的问题
。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
，以及一个堆叠的存储芯片 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，封装尺寸与HBM 4保持一致
。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，包括MoP，后端金属互连层），包括一个封装基板 、不过尚未进入商业化阶段
。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，

从目标定位、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项
，不过现在部分产品改用了LPDDR，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，能够带来更高的带宽。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，

根据英特尔的描述 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，预计2030年前后实现商业化
。